SI8424CDB-T1-E1 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI8424CDB-T1-E1
|
|
حجم فایل
|
88.625
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI8424CDB-T1-E1
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1.1W;2.7W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
40nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
8V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2340pF@4V
-
Continuous Drain Current (Id):
6.3A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
800mV@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
20mΩ@4.5V,2A
-
Package:
UFBGA-4
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
